فهرست شکل ها
عنوان
صفحه
فصل چهارم- شبيه سازي توپولوژي پيشنهادي مبتني بر مبدل باک – بوست مثبت براي منابع
توان پالسي مورد استفاده در پلاسما
شکل (4-1) شبیه سازی منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی – یک طبقه

مطالب مشابه در سایت

SABZFILE.COM

موجود است

شکل(4-2) شبيه سازی روش کنترلي منبع ولتاژ در توپولوژي پيشنهادي
شکل(4-3) مولفه ولتاژ توپولوژي پيشنهادي در حالت يک طبقه: (الف) کليد Ss (ب) کليد S1
شکل(4-4) مولفه جریان کليد بارSL توپولوژي پيشنهادي در حالت يک طبقه
شکل (4-5) شبيه سازي منبع توان پالسي پلاسما مبتني بر توپولوژي پيشنهادي – دو طبقه
شکل(4-6) مولفه ولتاژ توپولوژي پيشنهادي – دو طبقه درحالت کليد زني همزمان: (الف) خازنC1 یا کليد S1 (ب) خازنC2 یا کليد S2 (ج) کليد SL
شکل(4-7) مولفه هاي اصلي توپولوژي پيشنهادي – دو طبقه درحالت کليد زني جداگانه: (الف) ولتاژ خروجي (ب) جريان سلفی (ج) جريان خروجي(بار) IL (د) ولتاژ ورودی
شکل (4-8) شبيه سازي پيشنهادي جهت تخمين ميزان انرژي ذخيره شده
شکل(4-9) تخمین انرژي ذخیره شده در توپولوژي پيشنهادي: (الف)انرژي ذخيره شده در سلف (ب) انرژي ذخيره شده درخازن (ج) انرژي ذخيره شده در بار
شکل(4-10) جريان خازنی در حالت کليدزني گذرای توپولوژي پیشنهادی
فهرست جدول ها
عنوان
صفحه ه
فصل اول- آشنايي با ساختار منابع توان پالسي مورد استفاده در پلاسما
جدول(1-1) شرح نواحي منحنی دشارژ گازی ولتاژ – جريان حالت dc پلاسما
جدول (1-2) خلاصه اي از مشخصات منابع توان پالسي براي کاربردهاي مختلف
جدول(1-3) دامنه پالس هاي توليد شده در منابع توان پالسي
جدول (1-4)مشخصات دو مدل از مولد مارکس نواري
جدول (1-5)مشخصات مولد مارکس قطعه اي مدلA 43733
جدول(1-6) کليدهاي نيمه هادي گازي در منابع توان پالسي مورد استفاده در پلاسما
فصل دوم- بررسي توپولوژي هاي موجود براي منابع توان پالسي مورد استفاده در پلاسما
جدول(2-1) شاخص هاي کليدي مبدل هاي dc – dc
جدول(2-2) شاخص هاي کليدي مبدل های تشدید با کلید زنی نرم
فصل سوم – طراحي توپولوژي پيشنهادي مبتني بر مبدل باک – بوست مثبت براي منابع توان پالسي مورد استفاده در پلاسما
جدول( 3-1) شاخص هاي کليدي توپولوژی های مورد استفاه در منایع توان پالسی پلاسما
فصل چهارم- شبيه سازي توپولوژي پيشنهادي مبتني بر مبدل باک – بوست مثبت براي منابع توان پالسي مورد استفاده در پلاسما
جدول (4-1) مقاديرمولفه و المان های اصلی منبع توان پالسي پلاسما مبتني بر توپولوژي پيشنهادي
جدول(4-2) مقادیر dv/dt توليد شده در حالت کليدزني گذرای توپولوژي پيشنهادي
جدول(4-3) خلاصه ای از مقایسه بین دو آرایش مختلف توپولوژي پيشنهادي منبع توان پالسی پلاسما
2
2
3
5
5
6
8
10
11
14
15
17
18
18
19
20
20
20
22
22
23
25
صفحه
26
28
30
32
34
35
35
36
37
39
40
41
42
42
44
48
51
51
52
53
54
صفحه
55
55
56
58
59
60
61
61
62
62
63
65
67
69
70
72
73
76
3
4
6
8
63
64
64
65
65
66
67
68
69
70
4
6
7
13
13
15
32
32
41
62
70
71
ليست علايم و اختصارات
AC ) Alternating Current جريان متناوب (
BJT ) Bipolar Junction Transistorترانزيستور پيوند دو قطبي (
CCM ) Continuous-Conduction-Modeحالت هدايت پيوسته (
CDVM ( Capacitor-Diode Voltage Multiplier)تقويت کننده ولتاژ ديود و خازن

سایت ما حاوی پایان نامه های زیادی است – می توانید جستجو کنید :

CSR ) Converter Series Resonanمبدل تشديد سري (
DC ) Direct Currentجريان مستقيم (
EMI ) Electromagnetic Interferenceتداخلات الکترومغناطيسي (
EMC ) Electromagnetic Compatibilityسازگاری الکترومغناطيسي (
HV ) High Voltageولتاژ بالا (
IGBT ) Insulated Gate Bipolar Transistorترانزيستور دوقطبي گيت عايق شده (
MBL )Multistage Blumlein Linesخطوط بلوملين چند طبقه اي (
MFC ) Magnetic Flux Compressorکمپرسور شار مغناطيسي (
MG ) Marx Generatorمولد مارکس (
MOSEFET ) Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistorترانزيستورنيمه هادي اکسيد فلزي با اثر ميدان(
MPC )Magnetic Pulse Compressorکمپرسور پالس مغناطيسي (
MVM ) Multilevel Voltage تقويت کننده ولتاژ چند سطحي (
PEF ( Pulsed Electric Fieldميدان الکتريکي پالسي (
PFC ) Power Factor Correctorsتنظيم کننده هاي ضريب قدرت (
PFN ) Pulse Forming Networkشبکه شکل دهي پالس (
SMPS (Switched-Mode Power Supply)روش کليد زني منابع توان پالسي
ZCS )Zero Current Switchingکليد زني جريان صفر (
ZVS ) Zero Voltage Switchingکليد زني ولتاژ صفر (
فصل اول
آشنايي با ساختار منابع توان پالسي مورد استفاده در پلاسما
1.1مقدمه
اساس فناوري سيستم توان پالسي بر پايه ذخيره انرژي زياد در زمان نسبتا طولاني و آزاد کردن خيلي سريع آن مي باشد که هدف از فرآيند آزاد سازي انرژي، افزايش توان لحظه اي آن است. از مشخصه هاي کليدي منابع توان پالسي مي توان به سطح ولتاژ و مدت زمان افزايش آن که بر مبناي مشخصات بار مورد نياز تعيين مي شود، اشاره کرد]1[. روش هاي سازگاري منابع توان پالسي با بارهاي متفاوت توسط تکنولوژي موجود، يکي از بحث هاي کليدي فناوري سيستم توان پالسي مورد استفاده در پلاسما مي باشد. استفاده از دانش پيشرفته و رويکردهاي اخير در الکترونيک قدرت و نيمه هادي ها به حساب سطح نيازمندي صنعتي و علمي آن است که باعث پيشرفت سريع منابع توان پالسي در دهه اخير شده است.از ويژگي هاي بارز منابع توان پالسي جهت افزايش راندمان و قابليت اطمينان آن، پيچيدگي ها و ريزه کاري آن است]2[. کنترل بهينه روند توليد توان در منابع توليد توان پالسي يک روش مهم و حياتي براي افزايش راندمان مي باشد. از سوي ديگر استفاده از منابع توان پالسي با ولتاژ بالا نيازمند کليدهاي قدرت بالا مي باشد که ولتاژ شکست و زمان کليد زني آن محدودي است.
2.1 آشنايي با پلاسما
واژه “پلاسما” براي اولين بار در سال 1927 توسط ايروين لانگموير1 براي يک توده خنثی از ذرات باردار به کار رفت]3[. پلاسما را مي توان با ايجاد يک اختلاف پتانسيل بين دو الکترود در يک محيط گازي بوجود آورد. ميدان الکتريکي ايجاد شده بين دو الکترودهاي آند و کاتد، باعث يونيزاسيون ذرات گاز خنثي و ايجاد مسير هدايت مي شود. در شکل(1-1) نمونه ای از الکترودها را نشان داده شده است. ساده ترين حالت، خطوط ميدان الکتريکي بين آند و کاتد که در آن ميدان الکتريکي تقريبا يکنواخت است، به اندازه و شکل الکترودها(دو الکترود مسطح با يک شکاف کوچک در ميان شان است) بستگي دارد]4[.
شکل(1-1) نمايي از الکترودهاي بکار رفته در پلاسما
1.2.1 منحنی دشارژ گازی ولتاژ – جريان پلاسما
شکل (1-2) منحنی دشارژ گازي ولتاژ – جريان الکترودها را در حالت dc نشان مي دهد]5[. اين منحني داراي چند ناحيه مي باشد که نام نواحي در جدول (1-1) به صورت خلاصه بيان شده است. ناحیه دشارژ تاريک پلاسما، که در آن دشارژ شروع مي شود. هر چند که براي ايجاد حالت شکست، اين دشارژ به صورت کافي ذرات را تحريک نمي کند. به اين دشارژ تاريک مي گويند زيرا که در اين حالت دشارژ هيچ گونه انتقال انرژي به الکترون ها صورت نمي گيرد تا منجر به انتشار نور مرئي شود. در دشارژ تاريک با يونيزاسيون، يون ها والکترون ها به تنهايي اشعه هاي کيهاني و اشکال ديگري از آن (مانند اشعه يونيزه کننده طبيعي) که با افزايش ولتاژ همراه است، توليد مي کند. در حالت اشباع با يونيزاسيون، تمام ذرات باردار حذف و الکترون ها به علت يونيزاسيون انرژي کافي ندارند. در حالت تاونزند با شروع يونيزاسيون، ميدان الکتريکي ايجاد و جريان و ولتاژ به صورت نمايي افزايش می یابد]6[. بين حالت تاونزند و شکست در پلاسما، ممکن است تخليه کرونا صورت گيرد که در نتيجه ميدان الکتريکي بر روي لبه هاي تيز الکترود متمرکز مي شود. تخليه کرونا می تواند به صورت مرئي يا تيره باشد که به ميزان جريان عبوري از آن بستگی دارد. ناحیه دشارژ تابشي با حالت شکست شروع مي شود و با تشکيل قوس الکتريکي به پايان مي رسد. به طور عمده فرآيندهايي که منجر به شکل گيري حالت شکست و دشارژ تابشی مي شود را مي توان به دو گروه اصلي تقسيم کرد: (الف) فرآيندهاي گازي پلاسما، که در آن يونيزاسيون از برخورد الکترون و يون صورت می گیرد. (ب) فرآيندهاي کاتدي پلاسما، که در آن الکترون ها از کاتد آزاد مي شوند. به این فرآيند، به علت ايجاد الکترون در آن، فرآيند ثانويه نيز مي گويند]7[. با مطالعه مقالات منتشر شده در اين مورد مي توان دريافت که جنس کاتد تاثير زیادی درايجاد حالت شکست دارد. توسط فرآيند ثانويه مي توان انواع انرژي تابشي را بصورت فتوالکتريک که در آن انرژي نوري باعث آزاد شدن الکترون ها مي شود انتشار داد. در این مورد می توان به حالت گرما يوني در پلاسما نیز اشاره کرد، که در آن انرژي حرارتي باعث ايجاد الکترون و منجر به توليد ميدان الکتريکي مي شود. جرقه هاي ناشي از دشارژ در این حالت بسیار شديد است و داراي درخشندگي و چگالي جريان زيادي مي باشد. قوس هاي ناشي از دشارژ را مي توان معادل چگالي جريان زياد در حد کيلو آمپر در سانتيمتر مربع در نظر گرفت. هرچند که شدت طبيعي قوس مي تواند عامل فرسايش سريع تر الکترودها شود]9،8[.

دسته بندی : No category

دیدگاهتان را بنویسید